1、实践证明深紫外光刻工艺深受多种类微量污染物的影响，对很多微量污染物极为敏感，比如氨气或者酸性气体都会给半导体生产带来较大的危害，尽管随着深紫外耐腐蚀材料技术的发展，已经减少了长时间持续实时监测，而实际上空气分子污染（AMC）的实时测量对产品质量的好坏至关重要。  

2、猎户座3100S系列空气分子污染物监测系统基于CEAS（腔增强吸收光谱）技术连续分析仪器，将增加半导体器件阻抗一致性、保证更长的过滤器寿命、减少生产过程的停工时间。  

3、ETGHMI（人机交互界面）软件可以实时观察、实时测量、实时操作对不同空间不同位置的NH3、HCL、HF进行分析，软件专门针对半导体行业开发，对于深紫外光刻工艺过程中监测与控制空气分子污染（AMC）提供有力的支持，软件集成了多点采样（MS）控制功能，具有实时显示数据曲线、报警、存储、趋势、历史曲线、分析等功能。  

 

5、ETG采用被证明的CEAS（腔增强吸收光谱）技术解决AMC（空气分子污染物）监测难题，可快速测量痕量级NH3、HCL、HF，采用脉冲荧光法测量SO2，采用增强型GC-FID测量VOCs。

https://www.chem17.com/st307321/product_35489416.html 

http://www.bjdktech.com/SonList-2101588.html